메모리 타이밍

Refresh : DRAM이 Idle일때 Memory cell을 이루고있는 Capacitor에서전하가 채워져 있는 상황(논리 1의 상태)을 유지하고 있을 때, 방전에 의하여 채워진 전하가 조금씩 소진되므로, 이를 보상하기 위하여 주기적으로 재충전 시키는 것.

 

Precharge : Refresh가 Idle일때의 전하 방전을 보상하기 위한 주기적인 충전과정이라고 한다면, Precharge는 데이터 read시 감쇄되는 전하(destructive read)를 보상하기 위하여 read후 재충전하는 과정을 의미함.

 

CAS(Columm Assress Strobe) Latency (tCL/tCAS): 줄여서 CAS Latency, 더욱 줄여 "CL" 이라 부르는 값.  CAS 대기 시간. 명령이 메모리로 전송 된 후 응답을 시작할 때까지 걸리는 시간입니다. 프로세서가 메모리에서 데이터를 요청한 다음 반환하는 데 걸리는 시간입니다.

 

RAS to CAS Delay (tRCD): RAS에서 CAS 지연. 행 (RAS) 활성화와 데이터가 행렬에 저장되는 열 (CAS) 사이에 걸리는 시간입니다.

 

Row Precharge Time (tRP):  RAS 프리 차지. 데이터 라인에 대한 액세스를 비활성화하고 다른 데이터 라인에 대한 액세스를 시작하는 데 걸리는 시간입니다.

 

Row Active Time (tRAS): Active to Precharge Delay. 메모리에 대한 다음 액세스가 시작될 수있을 때까지 메모리가 대기해야하는 시간입니다. 

 

Command Rate (CR/CMD/CPC/tCPD): 명령 속도. 메모리 칩이 활성화 된 후 첫 번째 명령이 메모리로 전송 될 때까지 걸리는 시간입니다. 때때로이 값은 발표되지 않습니다. 일반적으로 T1 (1 클럭 사이클) 또는 T2 (2 클럭 사이클)입니다.

tRAS: Latency for Row Address Strobe

tRC: Row cycle time. Time gap between two row accesses (tRAS + tRP)

tRP: Latency for PRECHARGE

tRCD: Row to Column Delay, Latency of an ACT (gap between row access and data in sense amplifiers)

tCCD: Column to Column Delay

tRRD: Row to Row Delay (between two row ACTs)

tCAS (tCL): Latency for Column Address Strobe (data from column to bus)

 

뇌피셜

RAS : Row Address Strobe를 수신하기 위한 Latency

RCD : 해당 Row를 Activation하고 Row Buffer에 저장하기 위한 Delay

CAS : Column Address Strobe를 수신하기 위한 Latency