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출처 : https://www.servethehome.com/a-close-look-at-intel-optane-dc-persistent-memory-modules/ A Close Look at Intel Optane DC Persistent Memory ModulesWe de-lid an Intel Optane DC Persistent Memory module to see what chips go into making one of 2019's most anticipated technologies. In the process, we found a few surprises and new clues as to how these workwww.servethehome.com Optane DC PMM은 오랫동안 ..

출처 : https://www.storagereview.com/news/intel-optane-dc-persistent-memory-module-pmm Intel Optane DC Persistent Memory Module (PMM)Intel has talked about Optane DC Persistent Memory Modules (PMM) publicly for over awww.storagereview.com 개요    Intel Optane DC PMM은 기존의 DRAM보다 훨씬 높은 용량을 제공한다. 128GB, 256GB 및 512GB로 제공되며 일반적으로 4~32GB 범위에서 제공되는 DRAM 보다 훨씬 크다. PMM은 DRAM과 동일한 Channel에 있으며 각 채널의 CPU에 가장 ..

위의 그림은 제시된 NVM과 현재 사용하고있는 Volatile Memory의 전기적 및 물리적 특징을 보여준다.   Memory Cell size는 일반적으로 F unit에 의해 측정되며, 여기서 메모리 셀 크기는 접근할 수 있는 minimum feature size를 나타낸다. 셀 크기는 또한 단일 레벨 셀(SLC)의 사용을 고려하여 측정되는데. 이는 각 메모리 셀이 논리 0와 논리 1의 두 가지 상태를 나타낼 수 있다는 것을 의미한다. 이 특징은 Read/Write Latency가 길어짐에 따라 메모리의 저장 용량을 크게 증가시킨다.   Table 1에 설명된 값은 Related work에 따라 값이 다르기 때문에 많은 Variation이 나타낸다.   PCRAM과 RRAM cell은 가장 작은 크기..

ReRAM(Resistive Random Access Memory)  일부기능으로 인해 범용 메모리의 또다른 후보로 지목된다.    (1) 소형화에 대한 우수한 잠재력(Cell 크기가 4F^2, F는 line width),    (2) DRAM을 대체할 Main memory로써의 가능성,    (3) 3D Memory로의 Natural integration   ReRAM Cell은 일반적으로 두 전도성 금속 사이에 위치한 절연 또는 반도체 물질층을 가진 Device 로 구성된다. 이 구조를 MIM(Metal Indulator-Metal)이라고 한다. MIM의 중간 Layer은 메모리 정보의 저장으로 사용되고, 상단 Layer와 하단 Layer는 전극으로 사용된다.   MIM의 중간 Layer는 저항 변화..

PCRAM(PCM, Phase-Change Random Access Memory)  PCRAM은 기존 메모리에 비해 더 높은 밀도를 제공하는 컴퓨터 아키텍처의 Main Memory에 대한 대안으로 간주된다.   PCRAM Cell은 Resistor(저항기)에 의해 분리된 두개의 전극과 위상 변화(Phase-change)물질로 구성되어 있다.  Ge2Sb2Te5복합체(Germanium-Antimony-Tellurium)은 가장 일반적으로 사용되는 화합물이지만, Sb2Te5 복합체에서 티타늄, 알루미늄, 갈륨을 사용할 수 있는 다양한 도핑 요소를 연구하는 21개의 관련 연구가 있다.   위상 변화 layer는 PCRAM의 정보 저장을 담당하며, 비정형(Amorphous)과 결정형(Crystalline)의 두..

NVM(Non-volatile Memory)는 휘발성 메모리(like DRAM)에서 행하는 Refresh 작업을 행하지 않고도 데이터를 장기간 유지할 수 있는 메모리 기술이다. NVM 기술은 전류를 흘려 상태(1,0)을 바꿀 수 있기 때문에 메모리 셀로 사용되는 물질로 인해 작동한다. 이러한 기술은 Very low power, higher density than SRAM or DRAM을 제공 할 수있다. (낮은 전력, 높은 용량) 대신 NVM에는 Volatile Memory보다 낮은 Write 내구성과 Write 작업시 높은 Latency과 높은 Energy cost를 포함하여 극복해야할 여러개의 문제가 있다.  STT-RAM(Spin Transfer Torque Random Access Memory) ..