Non-volatile Memory, STT-RAM, PCM, RRAM 비교

 위의 그림은 제시된 NVM과 현재 사용하고있는 Volatile Memory의 전기적 및 물리적 특징을 보여준다. 

 

 Memory Cell size는 일반적으로 F unit에 의해 측정되며, 여기서 메모리 셀 크기는 접근할 수 있는 minimum feature size를 나타낸다. 셀 크기는 또한 단일 레벨 셀(SLC)의 사용을 고려하여 측정되는데. 이는 각 메모리 셀이 논리 0와 논리 1의 두 가지 상태를 나타낼 수 있다는 것을 의미한다. 이 특징은 Read/Write Latency가 길어짐에 따라 메모리의 저장 용량을 크게 증가시킨다. 

 

 Table 1에 설명된 값은 Related work에 따라 값이 다르기 때문에 많은 Variation이 나타낸다. 

  PCRAM과 RRAM cell은 가장 작은 크기로 개발될 수 있다. 그러나 Write에 대해 Current, Latency가 높다.

  RRAM은 내구성 이슈를 가장 많이 가지고 있는 기술로 분류될 수 있다.(타 NVM에 비해도 열세)

 

 Table에서 볼 수 있듯 모든 NVM은 Write endurance(내구성)이 떨어진다. Energy는 STT-RAM이 DRAM 에 버금가는 소비 전력을 갖는다. 따라서 다른 NVM과 비교하면, STT-RAM은 전체적인 전기적/물리적 특징을 잘보여주며, 메인 메모리와 캐시메모리를 모두 대체할 수 있는 특징들을 충족한다.

 

 이러한 NVM에서 발견된 문제를 완화하기 위해 아래와 같은 많은 솔루션들이 제안되었다.

  (1) Addition of volatile technology buffers(DRAM, SRAM)

  (2) Relaxing retention of NVMs

  (3) Adopting helpful mechanisms to analyze memory scheduling operations taking in 

       account the asymmetry of read and write operation latencies

  (4) Compiler-oriented techniques